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技术与服务

制程能力


 

技术与服务


 

    ✔  外延掺杂剂:N型和P型

    ✔  外延片尺寸:4 inch~12inch

    ✔  外 延 膜 厚:0.5~150μm

    ✔  外延电阻率:0.01~200 ohm-cm


Epi Thickness

 

ltemSingleMini batch
Within wafer1.00%2.00%
Wafer to wafer2.00%2.00%
Run to Run/2.00%


Epi Resistivity

 

RangeltemSingleMini batch

 

0.01~5.0

ohm~cm

Within wafer2.00%2.00%
Wafer to wafer1.50%2.00%
Run to Run/1.50%

 

5.0~50 

ohm~cm

Within wafer2.50%2.50%
Wafer to wafer2.00%2.50%
Run to Run/2.00%

 



    ✔  外延掺杂剂:N型和P型

    ✔  外延片尺寸:4 inch~12inch

    ✔  外 延 膜 厚:0.5~150μm

    ✔  外延电阻率:0.01~200 ohm-cm


Epi Thickness

 

ltemSingleMini batch
Within wafer1.00%2.00%
Wafer to wafer2.00%2.00%
Run to Run/2.00%

 











Epi Resistivity

 

RangeltemSingleMini batch

 

0.01~5.0ohm~cm

Within wafer2.00%2.00%
Wafer to wafer1.50%2.00%
Run to Run/1.50%

 

5.0~50 ohm~cm

Within wafer2.50%2.50%
Wafer to wafer2.00%2.50%
Run to Run/2.00%

 

 


    依据先进的MOCVD外延平台和专有的缓冲层技术,可提供


    ✔ 4 inch~8 inch 硅基/碳化硅基/蓝宝石基/氮化镓HEMT外延片;

    ✔ 100V/400V/600V/900V/1200V各种击穿电压规格外延片;

    ✔ 5G/6G射频外延片;

    ✔ 耗尽型、pGaN增强型及各种定制结构外延片;



 

     ✔  外延掺杂剂:N型和P型;

     ✔  外延片尺寸:4 inch 、6 inch;

     ✔  外 延 膜 厚:0.5~50um;

     ✔  外 延 浓 度:1E14-1E19/cm3

ltenltemspectypical

Thickness

Uniformity

Within wafer3.00%1.00%
Wafer to wafer3.00%2.00%

Dopant

concentration

Uniformity

Within wafer6.00%4.00%
Wafer to wafer6.00%4.00%

 

 

     ✔  外延掺杂剂:N型和P型;

     ✔  外延片尺寸:4 inch 、6 inch;

     ✔  外 延 膜 厚:0.5~50um;

     ✔  外 延 浓 度:1E14-1E19/cm3

 

ltenltemspectypical

Thickness

Uniformity

Within wafer3.00%1.00%
Wafer to wafer3.00%2.00%

Dopant

concentration

Uniformity

Within wafer6.00%4.00%
Wafer to wafer6.00%4.00%

 





联系电话:13861729969 陈晶

联系邮箱:sales@jinray.com

        编:323000

        址:浙江省丽水市莲都区南

                 明山街道南明路771号

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